离子注入

半导体零部件的制造工艺非常复杂，包括许多需要在真空环境下完成的步骤。其中，离子注入工艺包括用离子掺杂硅晶圆表面，以改变材料的电气特性并增加器件电导率。无论是何种注入机技术（中电流、大电流还是高能量），注入机工具的布局都包括三个主要的真空区域：离子源、光束线和终端站我们为所有注入机应用提供高真空涡轮泵和初级干泵解决方案，其设计可确保最低的购置成本和最长的工艺寿命。