In der Halbleiterindustrie werden mikroelektronische Bauteile auf der planaren Oberfläche eines Einkristalls aufgebaut. Im Produktionsprozess werden Schichten mit bestimmten elektrischen Eigenschaften (Isolatoren, Leiterbahnen und Schichten mit bestimmten Leitfähigkeitseigenschaften) übereinander aufgebracht. Durch die unterschiedlichen Eigenschaften der benachbarten Schichten entstehen elektronische Bauelemente wie Transistoren, Kondensatoren, Widerstände, etc.
In einer Vielzahl von Einzelprozessen bei der Produktion integrierter Schaltungen, z. B. bei der Dotierung des Halbleiter-Ausgangsmaterials, dem Schichtwachstum, der Strukturierung und auch bei der Analytik, wird Vakuumtechnik eingesetzt. Die Produktion findet in Reinräumen statt. Vakuumpumpen werden entweder direkt im Reinraum an den Produktionsanlagen eingesetzt oder in einem darunterliegenden eigenen Pumpengeschoss (Basement).
Die Prozesse stellen unterschiedliche Anforderungen an die eingesetzten Pumpen. Prozesse ohne korrosive, toxische oder kondensierbare Medien können mit Pumpen ohne besondere Korrosivgasausrüstung betrieben werden. Dazu zählen z. B.
Schleusen und Transferkammern
PVD (Physical Vapor Deposition) von Metallen ohne Reaktivgasatmosphäre
Implanter (Beam Line und End Station)
Annealing (Ausheilen von Kristalldefekten durch Ausheizen) unter Vakuum oder Inertgasatmosphäre
Waferinspektion
Die eingesetzten Pumpen (L-Reihe) werden in Kapitel 4.6.3 beschrieben. Durch den Einsatz der Pumpen direkt im Reinraum können Vorvakuumleitungen ins Pumpengeschoss und ihre eventuelle Beheizung eingespart, Leitwertverluste verringert und weltweit reproduzierbare Installationen mit hoher Prozessstabilität erreicht werden.
Mittelschwere Prozesse können korrosive Chemikalien mit Kondensationsneigung beinhalten, erzeugen jedoch keine Partikel. Dazu zählen unterschiedliche Verfahren wie
Oxidation, Veraschen
RTP (Rapid Thermal Processing; Waferbearbeitung in Hochtemperaturprozessen durch Halogenlampen mit hoher Leistung)
Trockenätzen von polykristallinem Silicium, Aluminium oder Wolfram
Implanter (Quellen)
einige CVD-Verfahren
Die eingesetzten Pumpen (P-Reihe) werden in Kapitel 4.6.4 beschrieben. Aus Sicherheitsgründen und aufgrund der Nähe zum Abgasreinigungssystem werden Prozesspumpen häufig im Basement installiert.
Die anspruchsvollsten Prozesse (Harsh Processes, Pumpen der H-Reihe) erfordern den Umgang mit Partikeln, hochkorrosiven Chemikalien oder Reaktionsnebenprodukten und Chemikalien oder Reaktionsnebenprodukten mit Kondensationsneigung. Beispiele für derartige Prozesse sind:
MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) von Titannitrid
Isotropes Trockenätzen von Dielektrika
HDP CVD (High Density Plasma Chemical Vapor Deposition) von Siliciumdioxid
SACVD (Sub Atmospheric Chemical Vapor Deposition) von Siliciumdioxid
SACVD HARP (Sub Atmospheric Chemical Vapor Deposition, High Aspect Ratio Process) von Siliciumdioxid
Teilweise werden für diese Verfahren auch Kombinationen von Turbomolekularpumpen (siehe Kapitel 4.9.3.2) und Prozesstrockenläufern eingesetzt.
Die zuvor genannten Prozesse für die P- und H-Pumpen benutzen Chemikalien mit z. B.
hoher Toxizität, wie Arsin (AsH3) oder Phosphin (PH3)
hoher Korrosivität wie plasmaaktiviertem Stickstofftrifluorid (NF3), Schwefelhexafluorid (SF6), Fluor-Kohlenstoffen, etc.
stark oxidierenden Eigenschaften wie plasmaaktiviertem Sauerstoff oder Ozon
metallorganische Chemikalien, z. B. Tetraethylorthosilicat (TEOS), Trisilylamin (TSA)
Umfangreiche Kenntnisse in Vakuumtechnik und Vakuumprozessverfahrenstechnik sind Voraussetzung zur Definition einer funktionsgerechten und langzeitstabilen Lösung mit möglichst geringen Verbrauchskosten. Dazu zählt z. B. die Definition der Pumpenarbeitstemperatur, um Kondensation bei zu niedriger Temperatur, Pulverbildung bei zu hoher Temperatur oder Verblocken der Pumpe bei zu langen Verweilzeiten der Chemikalien im Pumpenraum zu verhindern. Darüber hinaus ist oft eine präzise Kontrolle des Temperaturverlaufs nicht nur in der Pumpe, sondern auch von Produktionsanlage, Vorvakuumleitung und Abgasleitung erforderlich.
Vakuumprozesse in der Solarindustrie und bei der Bildschirmherstellung ähneln oft den auch in der Halbleiterindustrie eingesetzten Prozessen. Wegen der größeren zu beschichtenden Flächen sind in diesen Industriezweigen allerdings auch die Gasdurchsätze höher und verlangen entsprechend Pumpen mit höherer Saugleistung.
Ein Beispiel: In der Solarindustrie werden zur besseren Ausbeute des Sonnenlichts antireflektierende und die Oberfläche passivierende Siliciumnitridschichten in einem Plasma-CVD-Prozess auf die Solarzellen aufgebracht. Die Abscheidung findet dabei nicht nur wie gewünscht auf dem Substrat statt, sondern auch auf den Wänden der Vakuumkammer. Spätestens wenn die auf die Wände aufgewachsenen Schichten einen kontrollierten Vakuumprozess nicht mehr zulassen, muss die Prozesskammer gereinigt werden. Dies geschieht durch eine In-situ-Plasmareinigung mit dem starken Oxidationsmittel NF3. Wird die Pumpe (in diesem Beispiel AD 73 KH, siehe Kapitel 4.6.5) bei zu niedriger Temperatur betrieben, kommt es, wie in Abbildung 4.10 gezeigt, zu einer Ablagerung des Reaktionsprodukts Ammoniumhexafluorsilicat im Pumpstand. Zur optimalen Prozesskontrolle gehören neben einer prozesstauglichen Pumpe und einem in der Praxis erprobten und qualifizierten Satz von Betriebsparametern:
Eine beheizte Vorvakuumleitung zur Vermeidung der dortigen Kondensation
Bei vertikaler Vorvakuumleitung eine Schutzvorrichtung, die das Herunterfallen von Gegenständen in die Pumpe vermeidet (z. B. ein T-Stück mit Blindflansch am senkrechten unteren Ende und mit waagrechtem Ausgang zur Pumpe)
Ein Soft-Start-Ventil zur Vermeidung der Aufwirbelung von Partikeln
Ein Absperrventil am Einlass der Pumpe zum kontinuierlichen Betrieb der Pumpe bei hohen Temperaturen auch bei Wartungsarbeiten an der Vorvakuumleitung
Ein Lecksuchanschluss in der Vorvakuumleitung, möglichst nahe an der Vorpumpe. Leckagen würden zur Bildung von Siliciumdioxid-Partikeln führen.
Eine beheizte Abgasleitung zwischen Pumpe und Abgasreinigung
Ein Abgasreinigungssystem
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Abbildung 4.10: Kondensation von Ammoniumhexafluorosilikat (NH4)2SIF6 in einer zu kalt gefahrenen Wälzkolbenpumpe
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Abbildung 4.11: Funktionsprinzip der mehrstufigen Wälzkolbenpumpe, Prozesspumpe
Die in diesem Kapitel vorgestellten mehrstufigen Wälzkolbenpumpen sind wie die im vorigen Abschnitt vorgestellten Pumpen technisch trocken laufende Rotationsverdränger-Vakuumpumpen. Im vorliegenden Abschnitt beschäftigen wir uns mit Pumpen für korrosive Prozesse und die aus diesen abgeleiteten Pumpen für Schleusen- und Transferkammern.
In der Pumpe drehen sich zwei gegenläufig synchron laufende Rotoren (1) berührungslos in einem Gehäuse (2) (Abbildung 4.11). Die Rotoren haben die Form einer „Acht“ und sind voneinander und vom jeweiligen Stator durch einen engen Spalt getrennt. Auf den Wellen der Rotoren sitzen vier bis sechs Rotorpaare. Die einzelnen Rotorräume sind durch Statorscheiben mit Gasdurchlass voneinander getrennt. Das geförderte Gas wird von der Ansaugöffnung (3) zur Auslassöffnung gepumpt. Wichtig bei den Prozesspumpen ist stets die vertikale Pumprichtung. Dadurch kann der Raum in den Transportkanälen zwischen den einzelnen Stufen als Partikelfalle genutzt werden. Somit wird ein Verblocken der Pumpe bestmöglich vermieden.
Da im Schöpfraum keine Reibung auftritt, kann die Wälzkolbenpumpe mit hoher Drehzahl bis zu 6.000 U · min-1 betrieben werden. Die symmetrische Massenverteilung der Rotoren um die Wellenachse erlaubt zudem eine einwandfreie dynamische Auswuchtung, sodass die Pumpe trotz hoher Drehzahlen sehr ruhig läuft.
Zur Vermeidung der Kondensation von Chemikalien in Pumpe und Schalldämpfer können diese durch Regelung des Kühlwasserdurchflusses temperiert oder mit Heizmanschetten elektrisch beheizt werden. Ist der Auslassschalldämpfer getrennt aufgebaut, erfordert dies eine zusätzliche Heizmanschette. Die Integration des Auslassschalldämpfers direkt an den Pumpenblock reduziert nicht nur Energiekosten durch Vermeidung einer zusätzlichen Heizung, sondern macht auch die Installation einfacher.
Vorteile der mehrstufigen Wälzkolbenpumpen in Korrosivgasausführung:
Optimale Anpassung an den jeweiligen Vakuumprozess durch einstellbare Temperatur, Spülgasdurchsatz und Drehzahl
Kein Schmiermittel im Bereich der Gasförderung
Keine Entsorgungsprobleme in Bezug auf das Betriebsmittel
Hohe Zuverlässigkeit und hohe Anlagenverfügbarkeit
Lange Serviceintervalle, geringe Leistungsaufnahme und geringer Medienverbrauch von Kühlwasser und Spülgas, dadurch niedrige Betriebskosten
Kleinste Stellfläche, dadurch gute Integration und Einsparungen bei Reinräumen und Pumpengeschossen
Umfangreiche Ansteuerungsmöglichkeiten, lokale oder Fernsteuerung, Integration in ein Überwachungsnetzwerk
Niedrigste Leckagerate
Ideale Vorpumpe für Turbo- und Wälzkolbenpumpen in korrosiven Prozessen
Zertifiziert nach UL/CSA und SEMI S2
Stäube und Partikel
Die Prozesspumpen sind Partikeln ausgesetzt, die aus Prozesskammern und Vorvakuumleitungen zur Pumpe transportiert werden. Zusätzlich müssen Partikel und Ablagerungen toleriert werden, die durch Kondensation von Reaktionsnebenprodukten in den Pumpen selbst entstehen können. Im Idealfall wird die Bildung von Partikeln und Ablagerungen durch geregelte Heizung und kontrollierten Temperaturverlauf in den Pumpen vermieden. Durch vertikale Pumprichtung fallen eventuelle Partikel immer aus der Pumpstufe heraus und verbleiben im Transportkanal zur nächsten Stufe. Nach der nächsten Belüftung und dem folgenden Abpumpen werden die Partikel durch das geförderte Gas in die jeweils nächste Stufe transportiert. Durch diesen Transportmechanismus werden mehr als 98 % der erzeugten Partikel vom Einlass zum Auslass transportiert. Damit kann am Auslass der Pumpe ein Abgasreinigungssystem zentral eingesetzt werden. Hier werden dann nicht nur Prozess-chemikalien, sondern auch Partikel aufgefangen und einer Entsorgung zugeführt. Einlassseitige Fallen und Filter werden als wartungsintensive Komponenten einer Vakuumlösung für korrosive, toxische und kondensierbare Medien vermieden, wann immer es möglich ist.
Korrosive Gase
Die mehrstufigen Wälzkolbenpumpen der P- und H-Serien sind explizit für Korrosivgasprozesse der Halbleiter-, Solar- und Beschichtungstechnik für Flachbildschirme entwickelt worden. Sowohl die metallischen Rotoren und Statoren als auch die Elastomermaterialien der Pumpen sind aus hochkorrosionsbeständigen Materialien gefertigt.
Leckagerate
Die hohe Dichtheit und der Schutz vor zurückdiffundierenden Gasen aus der Umgebungsluft oder einem Abgasreinigungssystem bzw. Wäscher durch ein Rückschlagventil machen die mehrstufige Wälzkolbenpumpe zur perfekten Lösung für Korrosivgasanwendungen. Zum Dichtheitskonzept tragen gekapselte Motoren bei.
Die ACP 120 bietet den Einstieg in die wassergekühlten mehrstufigen Wälzkolbenpumpen. Die Pumpen der ACP-Reihe eignen sich nicht für das Abpumpen von großen Mengen korrosiver Gase. Mit der ACP 120 G können zumindest Spuren korrosiver Gase gefördert werden. Dazu wird Inertgasspülung eingesetzt, bei der die Lager durch einen Inertgasvorhang geschützt und Prozessgase durch Inertgaseinlass in den Pumpstufen verdünnt werden.
Die ACP 120 ist entweder als Einzelpumpe oder in Kombination mit einer Wälzkolbenpumpe als Pumpstand ACG 600 eine für industrielle Anwendungen optimierte Pumplösung, die vom Design der Korrosivgasversionen für die Halbleiterindustrie profitiert. Die ACP/ACG- Pumpen sind durch abriebfreies Design optimal für saubere Prozesse geeignet. Sie erreichen eine hervorragende Langzeitstabilität und lange Wartungsintervalle.
Schleusenpumpen für die Halbleiterindustrie ist in ihren Typenbezeichnungen ein „L“ für „Loadlock“ angefügt. Sie sind im Gegensatz zur oben beschriebenen ACP 120 mit einem Gehäuse und einer Steuerung ausgestattet. Ein Frequenzumwandler sorgt für weltweit reproduzierbare Leistungsparameter unabhängig von Netzspannung und Netzfrequenz.
Die Pumpen der L-Serie sind mit einem Betriebsstundenzähler, Statusleuchten sowie einer Umschaltung zwischen lokalem und Fernsteuerbetrieb ausgerüstet.
Ein- und Auslassflansche sind an der Rückseite der Pumpe angebracht wie auch eine Ein-/Ausgabe-Schnittstelle, die die Anbindung an die Steuerung einer Halbleiter-Produktionsmaschine erlaubt. Optional ist eine serielle Schnittstelle erhältlich, über die die Pumpe z. B. in ein Überwachungsnetzwerk eingebunden werden kann. Anschlüsse für die Wasserkühlung sowie eine optionale Energiesparoption sind ebenfalls an der Rückseite der Pumpe angeordnet (siehe Abbildung 4.13).
Die optionale, in das Pumpengehäuse integrierte Energiesparoption (Energy Saving, ES) reduziert die Leistungsaufnahme der Pumpe um bis zu 50 %. Damit werden die Betriebskosten für den Betreiber deutlich gesenkt. Neben der Energieeinsparung kann die A 100 L ES einen Enddruck von 7 · 10-4 hPa erreichen. Zudem verringert sich der Geräuschpegel um 3 dB(A).
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Abbildung 4.12: ACP 120
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Abbildung 4.13: A 100 L Rückseite mit Anschlüssen
Durch das Freihalten der Pumpenoberfläche können die Aggregate auch gestapelt und damit der Platzbedarf in einer Halbleiterfabrik im Reinraum oder im Pumpen-geschoss minimiert werden. Mit ihrer Kombination aus geringster Stellfläche, Stapelbarkeit, hohem Saugver-mögen bereits ab Atmosphärendruck, Energiesparoption, niedrigem Enddruck sowie hoher Zuverlässigkeit und Langzeitstabilität ist die L-Serie die optimale Lösung für alle Schleusenprozesse.
Der niedrige Enddruck und der reduzierte Geräuschpegel machen sie auch für Anwendungen in Analytik und F&E interessant.
In beschichtenden Prozessen, speziell in der Produktion von Halbleitern, Flachbildschirmen und in der Solarindustrie, spielt, wie in der Einleitung zu diesem Kapitel aufgezeigt, die Korrosivgasbeständigkeit von Vakuumpumpen eine große Rolle. Neben der Prozesstauglichkeit sind vor allem geringer Platzbedarf und niedrige Betriebskosten wichtige Pumpenparameter. Die P-Serie kommt diesen Forderungen durch um bis zu 53 % niedrigere Leistungsaufnahme im Vergleich zur Vorgängerversion sowie um deutlich reduzierte und innerhalb der Serie gleiche Stellfläche nach.
Grundlage dieser Pumpenserie ist der Prozesstrockenläufer A 103 P, der in zwei weiteren Modellen der Serie mit Wälzkolbenpumpen für erhöhtes Saugvermögen und Gasdurchsatz im Prozessdruckbereich ergänzt wird. Durch das sechsstufige Design der A 103 P und einen energieeffizienten Motor wird die Leistungsaufnahme niedrig gehalten. Der sechsstufige Aufbau der A 103 P reduziert die Differenzdrücke zwischen den einzelnen Stufen und damit die Leistungsaufnahme der Pumpe. Neben der sechsten Stufe erlauben die groß dimensionierte Einlassstufe und die hohe Drehzahl hohes Saugvermögen und niedrigen Enddruck.
Die Platzierung des auslassseitigen Schalldämpfers direkt an den Pumpenblock führt zu einem kompakten Aufbau der Pumpe und Energieeinsparung durch direkte Beheizung des Schalldämpfers über den Pumpenblock ohne zusätzlichen Heizmantel. Die temperaturgeregelte und permanent überwachte Heizung der gesamten Pumpe ist zur Vermeidung der Kondensation von Reaktionsnebenprodukten erforderlich.
Neben dem niedrigen Kühlwasserverbrauch der P-Serie sorgt eine Standby-Option für reduzierten Spülgasverbrauch der Pumpe außerhalb des Prozessbetriebs und damit für Einsparung von Betriebskosten.
Umfassende Optionen zur Ansteuerung und Kontrolle erlauben neben dem Betrieb über eine manuelle Steuerung auch die Kontrolle über eine Anlagensteuerung sowie die Einbindung in ein Überwachungsnetzwerk. Wichtige Betriebsparameter können direkt abgelesen und zur statistischen Auswertung exportiert werden.
Die P-Reihe ist normenkonform nach CE und SEMI S2.
Die Weiterentwicklung von Prozessen speziell in der Halbleiter- und Solarindustrie stellt immer neue Anforderungen an die eingesetzten Vakuumpumpen. Basierend auf der bewährten Technologie der mehrstufigen Wälzkolbenpumpe, bietet Pfeiffer Vacuum mit der H-Reihe die perfekte Lösung für die anspruchsvollsten Prozesse in den oben genannten Industriezweigen. Im Vergleich zu bisherigen Pumpenlösungen wurden Gasdurchsatz bei Prozessdruck, Partikeltoleranz und Kondensationsresistenz deutlich erhöht.
Wie die Pumpen der P-Serie (Process) sind die Pumpen der H-Serie (Harsh Process) mit Temperaturkontrolle und Inertgasspülung ausgestattet. Der Parameterbereich ist jedoch zur optimalen Prozessanpassung deutlich breiter gespannt als bei den Pumpen der P-Serie.
Grundlage der H-Serie ist der Prozesstrockenläufer A 203 H (siehe Abbildung 4.14), der in drei weiteren Modellen der Serie mit Wälzkolbenpumpen für erhöhtes Saugvermögen und Gasdurchsatz im Prozessdruckbereich ergänzt wird. Die Korrosivgasausrüstung der Pumpen erlaubt durch spezifische Materialien auch den Einsatz stärkster Oxidationsmittel wie NF3. Der breite Temperaturbereich der Pumpen erlaubt die Anpassung an unterschiedlichste Verfahren wie z. B. Wolframabscheidung bei niedrigen Temperaturen oder Nitridabscheidung bei hohen Temperaturen. Ein hocheffizienter Motor führt zu Energieeinsparungen bei niedrigen Drücken und bietet durch das hohe Drehmoment gute Anlaufeigenschaften nach Pumpenstillstand.
Die Modelle der A3H-Serie bieten durch identische Schnittstellen und identische Medienanschlüsse eine optimale Kompatibilität zu den Pumpen der P-Serie. Auch bei Änderung eines Prozesses auf einer bestehenden Produktionsanlage können also optimale Pumpenlösungen mit minimalem Installationsaufwand beim Pumpentausch geliefert werden.
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Abbildung 4.14: A 203 H Querschnitt
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Abbildung 4.15: A 1503 H Prozesspumpstand
Die Modelle der A3H-Serie bieten durch identische Schnittstellen und identische Medienanschlüsse eine optimale Kompatibilität zu den Pumpen der P-Serie. Auch bei Änderung eines Prozesses auf einer bestehenden Produktionsanlage können also optimale Pumpenlösungen mit minimalem Installationsaufwand beim Pumpentausch geliefert werden.
Durch Ergänzung des Modells A 1803 H mit einer dritten Roots-Stufe entsteht ein kompakter, extrem leistungsfähiger Pumpstand mit höchstem Saugvermögen für CVD-Prozesse. Der AD 73 KH setzt eine frequenzgeregelte Wälzkolbenpumpe mit einem nominellen Saugvermögen von 4.500 m³ · h-1 in einem eigenen Rahmen über den Prozesstrockenläufer. Durch den modularen Aufbau ist die Installation einfach und im Servicefall können die Pumpen des Pumpstands einzeln entfernt und gewartet werden. Die Frequenzregelung der saugseitigen Wälz-kolbenpumpe erlaubt eine Anpassung an Prozessparameter in einem breiten Gasdurchsatzbereich und für verschiedenste Prozessgase.
Pfeiffer Vacuum wird die dynamische Entwicklung der Prozesse in unterschiedlichen Industriezweigen auch in Zukunft verfolgen und optimale Pumpenlösungen anbieten. Einen ersten Ausblick erhalten Sie in Kapitel 8, Lösungen zum Kontaminationsmanagement.
4.6.6.1 Prozesspumpen, wassergekühlt
Saugvermögen und Enddruck der ACP 120 / ACP 120 G können durch Kombination mit einer Wälzkolbenpumpe weiter gesteigert werden. Für größere Volumina stehen entsprechend optimierte Pumpenversionen zur Verfügung.
Die angegebenen technischen Daten beziehen sich auf eine Netzfrequenz von 50 Hz. Die Standardausführungen der H-Pumpen sind zum Abpumpen von Volumina mit maximal 1 m3 geeignet. Sonderausführungen von A 203 H und A 1803 H sind geeignet für Volumina bis zu 50 m3.
Mehrstufige Wälzkolbenpumpen für nicht-korrosive Anwendungen | |||
Typenbezeichnung | Saugvermögen | Enddruck ohne/mit Spülgas | Einsatzbereiche / Anwendungsgebiete |
ACP 120 | 95 m³ · h-1 | 3 · 10-2 hPa | Schleusen- und Transferkammern mit einem Volumen bis zu 1 m3, nicht-korrosive Gase, Edelgase, Regenerierung von Kryopumpen, Vorpumpen für Turbopumpen mit nicht-korrosiven Gasen |
ACP 120 G | 95 m³ · h-1 | 9 · 10-2 hPa mit 35 slm Spülgas | |
A100 L | 100 m³ · h-1 | 6.6 · 10-3 hPa | |
A100 L ES | 100 m³ · h-1 | 7 · 10-4 hPa | |
Tabelle 4.16: Kenndaten von wassergekühlten mehrstufigen Wälzkolbenpumpen für nicht-korrosive Anwendungen
Mehrstufige Wälzkolbenpumpen für harte korrosive Anwendungen | |||
Typenbezeichnung | Saugvermögen | Enddruck ohne/mit Spülgas | Einsatzbereiche / Anwendungsgebiete |
A 103 P | 120 m³ · h-1 | 6,5 · 10-3 hPa 2,6 · 10-2 hPa mit 20 slm Spülgas | Trockenätzen (Oxid und Poly) Veraschen Stripping RTP Implantation |
A 603 P | 480 m³ · h-1 | 5 · 10-4 hPa 2 · 10-3 hPa mit 20 slm Spülgas | |
A 1003 P | 900 m³ · h-1 | 3 · 10-4 hPa 1 · 10-3 hPa mit 20 slm Spülgas | |
Tabelle 4.17: Kenndaten von wassergekühlten mehrstufigen Wälzkolbenpumpen der P-Serie für korrosive Anwendungen
Mehrstufige Wälzkolbenpumpen für harte korrosive Anwendungen | |||
Typenbezeichnung | Saugvermögen | Enddruck ohne/mit Spülgas | Einsatzbereiche / Anwendungsgebiete |
A 203 H | 130 m³ · h-1 | 6 · 10-2 hPa 5 · 10-1 hPa mit 50 slm Spülgas | Metal Etch CVD (PECVD, SACVD, LPCVD) ALD Epitaxie Trockenätzen |
A 803 H | 600 m³ · h-1 | 1 · 10-3 hPa 1 · 10-2 hPa mit 50 slm Spülgas | |
A 1503 H | 1,100 m³ · h-1 | 2 · 10-3 hPa 9 · 10-3 hPa mit 50 slm Spülgas | |
A 1803 H | 1,650 m³ · h-1 | 2 · 10-3 hPa 9 · 10-3 hPa mit 50 slm Spülgas | |
AD 73 KH | 4,700 m³ · h-1 |
| |
Tabelle 4.18: Kenndaten von wassergekühlten mehrstufigen Wälzkolbenpumpen der H-Serie für harte korrosive Anwendungen
4.6.6.2 Zubehör
Erdbebensicherung
Eine Erdbebensicherung erlaubt die Fixierung der Pumpe am Einsatzort, verhindert eine Verschiebung durch Erdbeben und damit ein eventuelles Reißen der Vorvakuumleitung.
Fernbedienung
Die Fernbedienung ermöglicht die Einstellung der Pumpenparameter und ihr Abspeichern in den in den in der Pumpe integrierten Speichern. Die Pumpenparameter können in Echtzeit angezeigt werden.
Schnittstellen
Zur Anbindung an die Steuerung einer Produktionsanlage können kundenspezifische Schnittstellen zwischen Pumpe und Anlagensteuerung geliefert werden.
Wasseranschlüsse
Die Wasseranschlüsse an den Pumpen und die dazugehörigen Schnellkupplungen zum Anschluss von Kühlwasserleitungen sind in Messing- und Edelstahlausführungen zur bestmöglichen Korrosionsstabilität verfügbar.
Das aufgeführte Zubehör ist nicht für alle in diesem Kapitel beschriebenen Pumpen sinnvoll und erhältlich. Weiteres Zubehör, z. B. für weitere Schnittstellen, elektrische Sicherheit, Anschlüsse oder sicheren Versand ist auf Anfrage erhältlich.
