EUV（极紫外）光刻技术
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光刻工艺需要将图案转移到晶圆的每一层。光线通过掩膜（待印图案的蓝图）投射，并通过多个光学器件聚焦到涂有光刻胶的晶圆表面。
在过去几十年里，大气压力条件下的深紫外 (DUV) 技术广泛使用，光的波长为 193 纳米。然而，当需要实现更小的临界尺寸时，由于需要的光波长更短，这种技术就达到了极限：为了处理小于 10 纳米的节点，一种名为 EUV（极紫外线）的新技术应运而生。
应用要求
功耗低，维护间隔长，因此拥有成本低
高氢气抽吸能力
基础压力低
占地面积小
它是如何工作的？
EUV 技术的开发历时 20 余年，而 EUV 设备也是有史以来复杂的机器类别之一（例如，这类系统内有超过 10 万个零部件）。简而言之，在 EUV 光源腔中，通过高功率激光脉冲（每秒 50,000 次）击中锡滴而产生等离子体。这种等离子体会发射波长为 13.5 纳米的 EUV 光。然后，EUV 光被引导并聚焦到反射掩模上，最通过连续的多层反射镜照射到晶圆上。由于任何物质都会吸收 EUV 光，因此这一流程需要在真空环境下进行。
真空需求
在 EUV 光源腔中，需要用大氢气流来保护 EUV 收集镜避免产生锡沉积。为此可使用具有高氢气抽吸能力的初级干式泵维持所需的压力水平。EUV 光线通过扫描室传输到晶圆，此过程依靠涡轮泵来保持极低的工作压力。
产品组合
要满足这种颇具挑战性的要求，普发真空拥有正确的技术。我们兼具高容量和高流量的 ADH 系列干式泵具有市场上较高的氢气抽吸能力，搭配我们新的高容量 HiLobe 罗茨风机，便成为完美的选择。
对于二次真空要求，我们的解决方案是无振动和高氢气容量的 HiPace 和 ATH M 涡轮泵。此外，这些设备只能在严格的密封条件下运行，这一点可通过我们的高性能氦气检漏仪得到保证。
除了 EUV 系统本身，还有数百种零部件需要在真空环境下开发或制造：普发真空是全球主要真空供应商之一，为整个 EUV 生态系统提供解决方案：从小型风冷干式泵 ACP 系列到高容量涡轮泵、DigiLine 真空计和真空元件，普发真空为光刻应用提供了一套完整的真空解决方案。
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