沉积，LPCVD
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低压CVD (LPCVD) 是一种薄膜沉积技术，通过将基材暴露于一种或多种在表面上反应和/或分解的挥发性前体实现。 LPCVD 通常应用于半导体制造中，以形成多晶硅薄膜、绝缘氧化层或钝化层。
扩散是一种热处理工艺，用于氧化和氮化晶圆表面，或改变掺杂层的电气性能。
应用要求
真空性能长时间保持稳定，助于优化产出
高坚固性、冷凝管理、粉末处理
高工艺寿命、低运营成本：低功耗、低维修成本
多级罗茨泵 - A4 系列
它是如何工作的？
LPCVD 和扩散技术均使用热能来激活化学反应，通常温度范围为 500 至 900 °C。 除了出色的阶梯覆盖能力和高纯度沉积之外，相对于其他 CVD 技术，该技术还可处理尺寸大得多的基板表面。LPCVD 或扩散设备通常为批处理型，可同时处理多达 200 个晶片。
真空要求
根据要沉积的材料，可以使用多种前体，从而产生多种须由干式真空泵处理的副产物：冷凝性或固态，某些应用还同时涉及两者。
产品系列
考虑到在批量炉中处理的晶圆数量，干泵的坚固性和工艺寿命对于确保生产吞吐量至关重要。A4 系列是应对这些挑战的完美适配产品。
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