건식 스트립핑 및 세정
칩 노드 치수가 계속해서 줄어들기 때문에, 웨이퍼 청결도가 매우 중요 해지고 있습니다. 장치 제조 사이클을 수행할 때, 성능에 영향을 줄 수도 있는 웨이퍼 표면의 잔류물을 정기적으로 청소해야 합니다. 가장 일반적인 스트리핑 공정은 습식 공정이나 진공 하에서의 건식 플라즈마 공정(회분화라고도 함)을 통한 포토레지스트 제거로 구성되어 있습니다. 기타 세정 공정(일반적으로 디스큠이라고 함)은 에칭 공정 후 소자 트렌치에서 중합체 잔류물을 제거하는 것으로 구성되어 있습니다.
응용 분야 요구 사항
시간이 지나면서 진공 성능이 안정화되어 산출량 최적화
펌프 속도와 펌프 다운 시간이 빨라서 많은 양을 처리할 수 있음
낮은 운영 비용으로 높은 공정 수명: 전력 소비량과 수리 비용이 적으며
설치 면적이 작은 건식 펌프
XN Series: process pumps for your corrosive applications
어떻게 작동합니까?
플라즈마 소스를 사용하여, 반응성 종인 산소나 불소가 주로 생성됩니다. 고급 노드 제조에서는 웨이퍼 표면 산화를 줄이기 위해 산소를 수소로 대체하는 것이 최근 추세입니다. 플라즈마가 형성됨에 따라 웨이퍼를 손상시킬 수도 있는 많은 유리기가 생성됩니다. 대부분의 스트리핑 장비에는 웨이퍼 손상을 줄이기 위해서 원격 또는 다운스트림 플라즈마 구성이 사용되고 있습니다. 반응성 종은 포토레지스트와 결합하여 휘발성 부산물을 형성하며, 이 부산물은 진공 펌프에 의해 배출됩니다.
진공 요구사항
건식 애싱 공정이나 스트리핑 공정은 1 mbar 범위의 작동 압력에서 작동합니다. 이 공정에는 일반적으로 펌프 속도 범위가 600 ~ 1,800 m3/h인 건식 펌프가 필요하며, 새로 등장하는 분야에서는 최대 속도가 3,000 m3/h까지 필요합니다. 일부 장비에는 부하 락 챔버가 장착되어 있지 않기 때문에 처리량을 늘리기 위해서는 펌프 다운 시간이 빨라야 합니다.
제품 포트폴리오
탄소 산화물과 중합체가 주요 구성 성분인 부산물은 진공 펌프에 중요하지 않습니다. A4H 건식 펌프는 이 용도에 잘 맞으며 수명이 길고 작동 비용이 낮다는 특징이 있습니다.