전도체 막 및 폴리실리콘 식각

건식 도체 에칭 공정은 웨이퍼에서 도체 재료(알루미늄, 텅스텐 등)의 선택적 제거 및 반도체 장치의 전기 상호 연결 형성으로 구성됩니다. 건식 폴리 실리콘(Poly-Si) 에칭은 트랜지스터 게이트를 생성하기 위한 선택적 폴리 실리콘 제거로 구성됩니다. 임계 치수가 계속 축소될 때는 매우 작은 구조에서 필요한 전기적 성능을 충족하기 위해 높은 균일성과 선택성이 요구됩니다. 이것은 플라즈마 또는 반응 이온 에칭 공정에서 달성됩니다.

어떻게 작동합니까?

일반적으로 염소 또는 불소계의 에칭 가스가 원자로에 주입됩니다. 플라즈마는 휘발성 부산물을 생성하여 웨이퍼 표면에서 반응하는 라디칼을 생성합니다. 평판 및 플라즈마 반응 및 온도 제어를 통해 얻은 장치 패턴화 덕분에 재료가 표면에서 원하는 속도로 선택적으로 에칭됩니다.

진공 요구사항

건식 도체 및 폴리 실리콘(Poly-Si) 에칭 공정은 저압에서, 10-2~10-3 mbar 범위에서 작동됩니다. 저진공 상태를 유지하기 위해 터보 펌프가 챔버 원자로에 직접 장착되고, 지하에 설치된 기본 건식 펌프의 지원을 받습니다. 가스 흐름이 계속 증가하는 경우, 필요한 터보 펌프 펌핑 용량은 최신 생성 원자로에서 1,600~3,000 l/sec 범위에서 변화합니다. 건식 펌프는 일반적으로 600~1,200 m3/h의 펌프 속도를 요구합니다.

배기할 부산물은 응축 가능하고 부식성이 높습니다. 이는 부식성이 매우 높은 환경에서 고온으로 작동할 수 있어야 하는 진공 펌프에게는 커다란 문제입니다.