Ionenimplantation

Die Herstellung eines Halbleiterbauelementes ist ein sehr komplexer Prozess, der viele Schritte unter Vakuumbedingungen umfasst. Einer davon ist der Ionenimplantationsprozess, in dem die Oberfläche der Siliziumwafer mit Ionen dotiert wird, um die elektrischen Eigenschaften des Materials zu verändern und die Leitfähigkeit des Bauelements zu erhöhen. Unabhängig von der Implantationstechnologie (Mittelstrom, Hochstrom oder Hochenergie) umfasst ein Ionenimplanter drei Hauptvakuumbereiche: Ionenquelle, Strahlführung und Endstation. Wir bieten Ihnen Lösungen für Hochvakuum-Turbopumpen und trockene Vorvakuumpumpen für alle Implantationsanwendungen, die auf niedrigste Betriebskosten, sowie eine maximale Prozesslebensdauer ausgelegt wurden.