干法脱模与清洁
:grayscale(false):format(webp))
随着芯片节点尺寸的不断缩小，晶圆的清洁度变得非常重要。在设备制造的整个周期中，需要定期清洁晶圆表面上任何可能影响其性能的残留物。最常见的剥离应用包括通过湿法处理工艺或真空状态下的干式等离子体处理工艺（也称为灰化）去除光刻胶。其他清洗工艺（通常称为除渣）包括在蚀刻工序后去除装置沟槽中的聚合物残留物。
应用要求
真空性能长时间保持稳定，助于优化产出
高抽速与快速抽真空时间实现高产量
高工艺寿命、低运营成本：低功耗，低维修成本
低空间需求的干式泵
XN Series: process pumps for your corrosive applications
它是如何工作的？
利用等离子体源产生活性种，通常为氧或氟。对于先进的节点制造，当前趋势是以氢气代替氧气以减少晶圆表面的氧化。 随着等离子体的形成，同时产生许多可能损坏晶圆的自由基。为了减少晶圆损坏，大多数剥离设备采用远程配置或下游等离子体配置。 活性种与光刻胶结合后形成挥发性副产物，需由真空泵将其抽空。
真空要求
干式灰化或剥离工艺需在 1 mbar 的工作压力范围内运行，通常要求干式泵的抽速范围在 600 至 1,800 m3/h 之间，而在新兴需求中可高达 3,000 m3/h。由于部分设备未装配负载锁定腔室，因此需要快速抽真空时间以实现高产量。
产品系列
由碳氧化物和聚合物等主要成分组成的副产物对于真空泵而言无关紧要。 我们的 A4H 干式泵非常适合此类应用，并以长使用寿命和低运行成本为显著优点。
:grayscale(false):format(webp))
:grayscale(false):format(webp))
:grayscale(false):format(webp))
:grayscale(false):format(webp))
:grayscale(false):format(webp))
:grayscale(false):format(webp))
