导体和多晶硅蚀刻

干法导体刻蚀工艺即选择性地去除晶圆上的导体材料（铝、钨等），从而形成半导体器件的电气互连。 干法多晶硅 (Poly-Si) 蚀刻即选择性去除多晶硅以形成晶体管栅极。 随着关键尺寸不断缩小，需要高度的均匀性和选择性才能在此类微小结构上满足所需的电气性能：这可通过等离子体或反应离子刻蚀工艺实现。

它是如何工作的？

刻蚀气体（通常为氯基或氟基），被注入到反应器中。等离子体产生自由基，这些自由基通过产生挥发性副产物，而在晶片表面发生反应。借助通过光刻以及通过控制等离子体反应和温度获得的器件图案，即可以所需的速率选择性地从表面刻蚀材料。

真空要求

干法导体和多晶硅刻蚀工艺流程在低压下进行，压力范围为 10-2 至 10-3 mbar。为了保持较低的真空度，涡轮泵直接安装在腔室反应器上，并由安装在地下室中的初级干泵提供支持。随着气体流量的不断增大，新一代反应堆所需的涡轮泵抽气能力为 1,600 至 3,000 l/sec。干式泵通常要求 600 至 1,200 m3/h 的抽速。

待排出的副产物具有冷凝性和高度腐蚀性。对于真空泵来说，这是一项严苛的挑战，因为它们需要能够在高度腐蚀性环境及高温下运行。