Plasmaphysik

Plasma wird auch als 4. Aggregatzustand der Materie bezeichnet. Es handelt sich hierbei um ein ionisiertes Gas, dessen prozentualer Anteil geladener Teilchen zwischen 1 und 100 % variieren kann. Für Produkte des modernen Lebens sind Plasmaprozesse unverzichtbar. Viele Prozessschritte für die Herstellung von Halbleiterbauelementen wie Mikrocontroller und Dünnfilmbeschichtungsanwendungen werden mit Hilfe von Plasmaprozessen erst möglich. Für einen Plasmaprozess ist Vakuum notwendig um ausreichenden mittleren freien Weglänge der Atome oder Moleküle sowie einer hohen Reinheit in experimentellen Umgebungen zu gewährleisten. Der eigentliche Plasma-Sputterprozess findet in den meisten Anwendungen im Fein- und Hochvakuumbereich statt: p = 10-2 bis 1 Pa (p = 10-4 bis 10-2 mbar). Um vor dem Einleiten eines Sputtergases wie z.B. Argon eine unerwünschte Kontaminationen zu vermeiden, muss die Prozesskammer auf Ultrahochvakuum (UHV) evakuiert werden: p < 10-5 Pa (p < 10-7 mbar).